IRFR5410
Canal-N
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El IRFR5410 es un transistor MOSFET de canal N diseñado para aplicaciones de potencia, que ofrece baja resistencia de conducción y alta capacidad de corriente en un encapsulado TO-220.

El IRFR5410 es un MOSFET de canal N de potencia diseñado para manejar corrientes elevadas con una baja resistencia de conducción. Ofrece un rendimiento robusto y fiable en aplicaciones de conmutación y regulación de voltaje. Equipado con un encapsulado TO-220, el IRFR5410 garantiza una disipación de calor eficiente y una alta fiabilidad en ambientes exigentes. Su RDS(on) reducida y su alta capacidad de corriente lo convierten en una opción ideal para convertidores de potencia, fuentes de alimentación y control de motores.

Descripción General

El IRFR5410 es un transistor MOSFET de canal N de potencia optimizado para aplicaciones que requieren alta capacidad de corriente y mínima pérdida por conducción. Su encapsulado TO-220 facilita la disipación térmica y la integración en disipadores de calor.

Características Principales

  • Tensión drenador-fuente (VDS): 100 V
  • Corriente de drenaje continua (ID): 50 A
  • Resistencia de conducción RDS(on): 0.045 Ω
  • Baja carga de puerta para conmutación rápida
  • Encapsulado TO-220 con perforación para disipador

Especificaciones Técnicas

  • Voltaje de umbral de puerta (VGS(th)): 2–4 V
  • Potencia de disipación (PD): 200 W
  • Capacidad de entrada de puerta (Ciss): 1500 pF
  • Temperatura de operación: –55 °C a +175 °C

Aplicaciones Típicas

  • Fuentes de alimentación conmutadas (SMPS)
  • Control y drivers de motores
  • Convertidores DC-DC
  • Reguladores de voltaje
  • Inversores fotovoltaicos