2SD315AI
D5C
Igbt/Mosfet
    Tiempo de entrega:Inmediata
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  • Descripción

no es un transistor de potencia convencional sino un módulo driver dual SCALE-1 para IGBTs o MOSFETs de alto voltaje

  • Es una unidad de dos canales (“dual channel”) para “IGBT/MOSFET gate driver cores”, diseñada para módulos de hasta 1.700 V (y versiones hasta 3.300 V) de voltaje de IGBT. Power Integrations+1


    • Capacidad de corriente de salida del gate: ±15 A típicos para arranque y conmutación. Power Integrations+1


  • Tecnología: SCALE-1 (Scalable, Compact, All-purpose, Low-cost, Easy‐to‐use).